• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1989002880A1
    申请号:PCT/JP1988/000956
    申请日:1988-09-21
    公开日:1989-04-06
    发明作者:Takuo Takeshita；Sadaaki Hagino；Takeshi Sakurai；Tadashi Sugihara
    申请人:Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha；
    IPC主号:H01L39-00
    专利说明:
    [0001] 超伝導体セラミック焼結体の製造方法
    [0002] 技術分野
    [0003] 本発明は超伝導体セラミックの焼結体に関し、 特に、 高強度また 'は高靱性を有する超伝導体セラミック焼結体の製造方法に閲する。 背景技術
    [0004] 典型的な超伝導体セラミック焼結体の製造方法としては、 まず、 平均粒径 1 0ミクロン以下のィ ッ トリゥムを含む希土類元素の酸化 物 （以下、 一般式 R 2 0 3で佘す） の粉末と、 アルカリ土類金属の炭 酸塩または酸化物 （以下、 一般式 A C 0 3または A Oで示す〉 の粉末 と、 銅酸化物 （以下、 一般式 C u 0で示す〉 の粉末とを用意し、 こ れらの原料粉末を所定の配合組成に配合し、 これらを混合する。 こ のようにして.混合ざれた混合粉末は乾燥空気中で摂氏 8 5 0度〜 9 5 0度の範囲の所定温度に加熱きれて焼成ざれて超伝導体セラミッ . クとされ、 再ぴ粉砕処 Sにより平均粒径 1 0 ミクロン以下の粉末と · ざれる。 かかる焼成処理と粉砕処理とは、 それぞれ 1 回づつの場合 もあるが、 2回以上繰り返されることもある。 このようにし.て得ら れる超伝導体セラミックの粉末は、 プレス成形'されて圧粉体とざれ た後、 酸素含有.雰囲気中で摂氏 9ひ 0度〜 9 8 0度の.範囲の所定温 度に加熱保持されて焼結され、 超伝導体セラミックの焼結体が形成 ざれる。 また、 超伝導体セラミックの焼結体は銀 （A g ) や銅 （ C u ) の管材内に装入され、 これにスウェージ加工や溝ロール加工あ るいはダイス加工を施して線材ゃ板材、 あるいは条材ゃ帯材などの 加工材に成形される。
    [0005] しかしながら、 上記従来の製造方法で製造された ί!伝導体セラミ 、ソクの焼結体は、 靱性が不足しており、 その脆ざ故、 加工時に割れ や断線などが発生しがちであつた。 かかる割れや断線を防止するに は、 加'工率を低く し、 加工速度も下げなければならず、 加工材の生 産効率が低いという問題点を有してい 'た。
    [0006] また、 上記問題点に加えて、 従来の超伝導体セラミックの焼結体 は理論密度比が 8 0 %以下であり、 抗折強度も 2 0 0 k g / c m 2以 下にすぎない。 その結果、 加工材を加工する際、' また、 加工材を実 用する際に断線や割れが発生するという問題点があつた。
    [0007] したがって、 本発明の目的は靱性の高い超伝導体セラミックの焼 結体を製造する方法を提供することである。
    [0008] また、 本発明の別の目的は密度の高い超伝導体セラミックの焼結 体を製造する方法を提供することである。 発明の開示
    [0009] 本発明者は上記原料粉末に金属フッ化物の粉末を所定の割合で配 合すると超伝導体セラミ、、)クの靱性が向上し、 更に別の所定の割合 で金属フッ化物の粉末を配合すると超伝導体セラミックの密度が向 上することを発見した。
    [0010] そこで本発明に係る超伝導体セラミック焼結体の製造方法は、 . a ) 希土類元素を含む酸化物の第 1粉末と、 アルカリ土類金属の酸化物 またはアルカリ土類金属の炭酸塩の第 2粉末と、 銅酸化物の第 3粉 末と、 金属フッ化物の第 4粉末とを準備する工程と、 b ) 上記第 1、 第 2、 第 3、 第 4粉末を所定の割合で配合して混合粉末を作る工程 と、 c ) 上記混合粉末を焼成しで超伝導体セラミツケを生成するェ 程と、 d ) 上記超伝導体セラミックの粉末を作る工程と、 e ) 上記 超伝導体セラミックの粉末を成形して成形体を作る工程と、 f ) 上 記成形体を焼結して超伝導体セラミックの焼結体を作る工程とを有 する。 . まず、 混合粉末中に約 0 * 0 1重量％〜約 0 3 5重量％のフッ 素が含有されるように金属フッ化物を配合すると、 超伝導体セラミ ックの焼結惊中は約 0 * 0 1重量％〜約 0 . 3重量％のフッ素を含 むようになり、 このような範囲でフッ素を含む超伝導体セラミック は、 その靱性が向上するのみならず、 臨界電流密度を犠牲にするこ となく臨界温度が增加する。 上述のように、 金属フッ化物の配合割 合をフッ素で約 0 . 0 1重量％〜約0 . 3 5重量％としたのは、 金 属フッ化物の配合割合がをフッ素で約 0 . 0 1蓴量％未満になると、 超伝導体セラミックに含まれるフッ素は 0 . 0 1重量％未満になり、 十分な靱性の向上と臨界温度の増加を果たせないからであ り、 一方、 金属フッ化物の配合割合がフッ素で約 0 . 3 5重量％を超えると、 超伝導体セラミックに含まれるフッ素は超伝導体セラミックに対す るフッ素の固溶限である 0 . 3重量％を超えることになり、 超伝導 体セラミックからフッ素が析出して臨界溫度およぴ臨界電流密度が 低下する。
    [0011] また、 混合粉末中に約 1重量％〜約 2 0重量％の割合で金属フッ 化物の粉末を配合と、 超伝導体セラミ ックの焼結体は理論密度比で 約 9 0 %以上の高密度となり、 抗折強度は約 5 0 0 k grゾ c m 2以上 となる。 金属フッ化物の配合割合を約 1重量％〜約 2 0重量％とし たのは、 /金属フッ化物の配合割合が約 1重量％未満になると、 '超伝 導体セラミ ックの密度を十分に向上ざせることができず、 一方、 金 Λフッ化-物の配合割合が約 2 0重量％を超えると、 超伝導体セラミ 'ック.の臨界温度おょぴ臨界電流密度が低下するからである。 発明を実施するための最良の形態
    [0012] 次に本発明に係る超伝導体セラミック焼結体の製造方法の実施例 を説明する。
    [0013] まず、 いずれも約 0 . 5ミクロン〜 1 0 . 0ミクロンの範囲内の 所定の平均粒径を有する R 2 0 3粉末と、 A C 0 3粉末および A O粉末 と、 C u O粉末と、 金属フッ化物粉末としての B a F 2粉末および C u F 2粉末とを準備する。 これらを表 1 に示される割合で配合し、 ボ ールミルにより約 6時間乾式混合する。 次に、 約 1 トン Z c m 2の圧 力を加えてブレス成形し、 この圧粉体を空気中で摂氏約 9 0 0度に 加熱し、 その状態で約 1 0時間保持して第 1次焼成処理を実施する。 このようにして焼成されたセラミックは乳鉢で粗粉砕され、 その後、 第 1次焼成処理と同一条件で第 2次焼成処理を実施する。 第 2次焼 成処理で得られるセラミックは温式ボールミルで約 6時間粉砕され、 平均粒径約 1 . 5ミクロンの超伝導体セラミックの粉末を作る。 こ の超伝導体セラミックの粉末は約 2 ト ン Z c m 2の圧力を加えられて 幅 8 mm、 厚ざ 4 m m、 長さ 4 0 m mの圧粉体が成形される。 これ らの圧粉体は空気中で摂氏約 9 8 0度に約 1 0時間保持されて焼結 され、 超伝導体セラミックの焼結体を形成する。 これらの超伝導体 セラミックの焼結体の成分紐成と特性とを袠 2に示す。
    [0014] 袠 3は金属フッ化物を含まない従来の混合粉末の組成を示してお り、 表 4は上記一連の工程と同様の工程で金属フッ化物を含まない 混合粉末から形成された超伝導体セラミックの焼結体の成分組成お よび特性を示している。
    [0015] " 表 からも明 かなように、 本発明に係る製造方法で形成された 超伝導体セラミックの焼結体ば、 従来例で製造ざれた超伝導体セラ ミックの焼結体に比べ高い靱性を有することが理解できる。 また、 本発明に係る製造方法で製造ざれた超伝導体セラミックの焼結体は、 従来例に比べ高い臨界温度 T cを有しており、 それらの臨界電 密 度 J cほぼぽ等しい。 . '
    [0016] (以下、 余白）
    [0017]
    [0018] 9S600/88df/lDd ■s- 088Z0/68 OAV 表 2
    [0019]
    [0020]
    [0021] (以下、 余白） 表 3
    [0022]
    [0023] (以下、 余白〉
    [0024] 表 4
    [0025]
    [0026] (以下、 余白） 次に、 密度を向上させるために金属フッ化物を混合粉体中に約 1 重量％〜約 2 0重量％含ませた例について説明する。
    [0027] まず、 いずれも約 0 . 5ミクロン〜 1 0 . 0ミクロンの範囲内の 所定の平均粒径を有する R 2 0 3粉末.と、 A C 0 3粉末および A 0粉末 と、 C u 0粉末と、 各種金属フッ化物粉末とを準備する。 これらを 表 5に示される割合で配合して混合する。 次に、 約 1 トン/ " c m 2の 圧力を加えてプレス成形し、 この圧粉体を空気中で摂氏約 9 0 0度 に加熱し、 その状態で約 3 0時間保持して焼成処理を実施する。 '二 のようにして焼成されたセラミックは、 平均粒径約 5ミクロン以下 の超伝導体セラミックの粉末に粉砕される。 この超伝導体セラミッ クの粉末は約 2 ト ン/ c m 2の圧力を加えられて幅 8 m m、 厚さ 4 rn m、 長さ 4 O m mの圧粉体が成形される。 これらの圧粉体は空気中 で摂氏約 9 0 0度〜摂氏約 9 8 0度の所定温度で約 1 0時間'保持さ れて焼結され、 超伝導体セラミックの焼結体を形成する。 これらの 超 f云導体セラミックの焼結体の成分組成と特性とを表 6に示す。
    [0028] 表 7は金属フッ化物を含まない従来の混合粉末の組成を示してお り、 表 8は上記一連の工程と同様の工程で金属フッ化物を含まない 混合粉末から形成された超伝導体セラミックの焼結体の成分紐成お よび特性を示している。
    [0029] '表 6からも明らかなように、 本'発明に係る製造方法で形成された 超伝導体セラミックの焼結体ば、 従来例で製造された超伝導体セラ ミックの焼結体に比べ高い密度を有し、 その結果、 δ 0 0 k g / c m 2以上の高い抗折強度を有することが理解できる。
    [0030] (以下、 余白） 表 5
    [0031]
    [0032] (以下 s 余白） 表 6
    [0033] 表 7
    [0034]
    [0035] (以下、 余白〉
    [0036] 表 8
    [0037]
    [0038] (以下、 余白）
    [0039] 産業上の利用可能性
    [0040] 本発明に係る超伝導体セラミック焼結体の製造方法は、 例えば、 線材、 帯材のような加工材を製造するために使用される超伝導体セ ラミツクの焼結体の製造に適用ざれる。
    权利要求:
    Claims請求 の 範 画
    1 . 超伝導体セラミックの焼結体の製造方法であって、
    a ) 希土類元素を舍む酸化物の第 1粉末と、 アル力リ土類金属の 酸化物またはアル力リ土類金属の炭酸塩の第 2粉末と、 銅酸化物の 第 3粉末と、 金属フッ化物の第 4粉末とを準備する工程と、
    b ) 上記第 1、 第 2、 第 3、 第 4粉末を所定の割合で配合して混 合粉末を作る工程と、
    c ) 上記混合^末を焼成して超伝導体セラミックを生成する工程 と、
    d ) 上記超伝導体セラミックの粉末を作る工程と、
    e ) 上記超伝導体セラミックの粉末を成形して成形体を作る工程 と、
    f ) 上記成形体を焼結して超伝導体セラミックの焼結体を作るェ 程とを有する。 '
    2 . 特許請求の範囲第 1.項に記載されている超伝導体セラミックの . i 結体の製造方法において、 上記混合粉末に上記第 4'粉末を配合し た..ことに起因して上記超伝導体セラミックの.焼結体中のフッ素は約 0 . 0 1重量％〜約0 . 3 0重量％である。
    3 . 特許請求の範囲第 2項に記載されている超伝導体セラミ.ックの ' 焼結体の製造方法にお 'いて、 上記第 4粉末の配合に基づく フ''ッ素が 上言さ混合粉末に占める割合を約 0 . 0 1重量％〜約 0 . 3 5重量％
    -にする。 .
    4. 特許請求の範通第 3項に記載されている超伝導体セラミックの 焼結体.の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化物 と上記'第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末中の 金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Υ 2 0 3、·分子式 B a C 0 3および分 子式 B a F 2で表ざれる。 '
    5 . 特許請求.の範囲第 4項に記載されている超伝導体セラミックの 焼結体の製造方法において、 上記 ¾ Γ粉末中の希土類を含む酸化物 と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末中の 金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 5. 1 6重量％、 約 5 1. 3 2重量％および約 1. 53重量％である。 ,
    6. 特許請求の,範囲第 3項に記載されている超伝導体'セラミックの 焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化物 と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の漦化物と上記第 4粉末中の 金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Y 203、 分子式 B a 0および分子 式 B a F 2で表される。
    7. 特許請求の範囲第 6項に記載されている超伝導体セラミックの 焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化物
    ：,と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の酸化物と上記第 4粉末中の '金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 6. 8 8重量％、 ^ 約 47. 1 6重量％および約 0. 0 5重量％である。
    8. 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体セラミックの 焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化物
    - と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末中の 金属フッ化物とはそれぞれ分子式： E r 203、 分子式 B a 0およぴ分 子式 B a F 2で表される。
    9. 特許請求の範囲第 8項に記載されている超伝導体セラミックの 焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化物 と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の酸化物と上記第 4粉末中の 金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 5. D 4重量％、 約 4 1 * 25重量％および約 1. 1 4重量％である。
    1 0. 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体セラミック の焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化 物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の酸化物と上記第 4粉末中 の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 D y 20-3. 分子式 B a 0および 分子式 B a F2で表される。
    1 1. 特許請求の範囲第 1. 0項に記載されている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 25. 53重量 %、 約 4 1. 86重量％および約 0. 9 6重量％であ'る。
    1 2. 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体セラミック の焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化 物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末中 の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 G d 203、 分子式 B a C 03およ び分子式 B a. F 2で表される。
    1 3. 特許請求の範囲第 1 2項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 27. 60重量 %、 約 47. 99重量％および約 0， 62重量％である。
    1 4. 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体セラミック . ..の焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希'土類を.舎む酸化
    .物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の酸化物と上記第 4粉末中 の金属フヅ化物とはそれぞれ'分子式 Y b 2 Os 分子式 B a 0および 分子式 C u F2で表される。
    1 5. 特許請求の範囲第 1 4項に記載されてい ¾超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 26. 6 1重量 %s 約 42. 2 1重量％および約 0. 49重量％である。
    '
    1 6. 特許請求の範囲第 3項に記载されでいる超伝導体セラミック の焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化 物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末中 の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Tm20s、 分子式 B a 0および 分子式 B a F 2で表ざれる。
    1 7. 特許請求の範囲第 1 6項に記载ざれている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 26. 65重量 %、 約 42. 04重量％および約 0. 06重量％でぁる。
    1 8. 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体セラミック の焼結体の製造方法において、 上記第〗粉末中の希土類を含む酸化 物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末中 の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 N d203、 分子式 B a C 03およ び分子式 B a F2で表ざれる。
    1 9. 特許請求の範囲第 1 8項に記載されている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む-酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フツ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 20. 67重量 %、 約 48. 1 2重量％および約し 27重量％である。
    20. 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体セラミック の焼結体の製造方法において、 上 fe第 1粉末中の希土類を含む酸化 物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の炭酸塩と上記第.4粉末中 の金属フッ化'物とはそれぞれ分子式 L u 2 O s 分子式 B a. C 0 およ ぴ分子式 B a F2で表される。
    2 1. 特許請求の範匪第 20項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体、の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 23. 83重量 %、 約 45- 68重量: ¾および約し 73重量％である。
    22. 特許請求の範囲第 3項に記载ざれている超伝導体セラミック の焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化 物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末中 の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 S m203、 '分子式 B a. C 0 sおよ び分子式 B a F 2で表される。
    2 3 . 特許請求の範囲第 2 2項に記載されている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中 Q希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 2 1 . 6 7重量 %、 約 4 7 . 5 0重量％ぉよび約； I . 1 1重量％でぁる。
    2 4 . 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体セラミック の焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化 物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の酸化物と上記第 4粉末中 の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Y 2 0 3、 分子式 B a および分 子式 C u F 2で表され、 更に、 上記第 2粉末は分子式 S r 0で表され るアルガリ土類金属の酸化物を含んでいる。
    2 5 . 特許請求の範'通第 2 4項に記載されている超伝導体セラミ、)、 クの.焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含 t 酸 化物と上記第.2粉末中のアルカリ土類金属の分子式 B a 0.で表ざれ る酸化物と分子式 S r 0で表される酸化^と上記第 4粉末中の金属 フッ化物とは上記混合粉末中でそ—れぞれ約 1 7 . 3 7重量％、 約 4 . - 3 . 2 2重量％、 約 2 . 8 5重量!％および約 0 . 8 7重量％である。
    2 6 . 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体セラミック の煉結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸化 物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末中 の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 L u 2 03、 分子式 a 0および 分子式 C u F 2で表され、 更に、 上記第 2粉末は分子式 S r 0で表さ れるアルカリ土類金属の酸化物を含んでいる。
    2 7 . 特許請求の範囲第 2 6項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製.造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第. 2粉末中の分子式 B a 0で表されるアル力リ土類金属 の酸化物と分子式 S r 0で袠されるアルカリ土類金属の酸化物と上 記第 4粉末中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 2 1 80重量％、 約 2 8. 9 1重量％、 約 23. 2 1重量％および約 0. 20重量％である。
    28. 特許請求の範囲第 1項に記載されている超伝導体セラミック の焼結体の製造方法において、 上記金属フッ化物が上記混合粉末中 に占める割合を約 1重量％〜約 20重量％にする。
    29. 特許請求の範囲第 28項に記载ざれている超伝導体セラ -ミ、、) クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む漦 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Y 203、 分子式 B a C Osおよ び分子式 B a F2で表される。
    30. 特許請求の範囲第 29項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸
    .化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 5. 2重量％、 約 52 3重量％および約 1重量％である。
    3 1. 特許請求の範囲第 29項に記载ざれている超伝導体セラミツ
    '.クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含 駿
    .化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 ,中の金属フッ化物と.は上記混合粉末中でそれぞれ約 1 5. 2重量'％、 約 5 0. 8重量％および約 2重量％である。
    32. 特許請求の範囲第 29項に記载されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 5. 2重量％、 約 47. 6重量％および約 5重量％である。
    33. 特許請求の範囲第 29項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉-末中の希土類を含む酸 化物と上記 m 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 5. 3重量％、 約 42. 2重量％および約 1 0重量％である。
    34. 特許請求の範囲 m 29項に記載されている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力'リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 5. 4重量％、 約 3 6. 7重量％および約 1 5重量: ¾である。
    35. 特許請求の範囲第 29項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第〗粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 5. 5重量％、 約 3 1. 2重量％および約 20重量％である。
    36. 特許請求の範囲第 28項に記載されている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸
    ' 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化.物と上記第 41粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Y 203、 分子式 B a Oおよび 分子式 B. a F2で表される。
    37. 特許請求の範囲第 36項に記載されている超伝導体セラミ、、〕 ケの焼結体の性造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 ' 1 6. 9重量％、 約 3 7. 3重量％および約 1 0重量％である。
    38. 特許請求の範囲第 28項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物.とはそれぞれ分子式 E r a 03 分子式 B a 0およ び分子式 Y F で表される。 ―
    39. 特許請求の範囲第 38項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 3. 7重量％、 約 42. 9重量％および約 1 0重量％である。
    40. 特許請求の範囲第 28項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、' 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 D y203、 分子式 B a Oおよ ぴ分子式 C u F2で表される。
    4 1. 特許請求の範囲第 4； 0項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含 酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 24. 9重量％、 約 4 1. 0重量％および約 1 0重量％である。
    42. 特許請求の範囲第 28項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む漦 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Y b 203 分子式 B a 0およ び分子式 B a F2で表される。 -
    43. 特許請求の範囲第 42項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の性造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を舍む酸. 化物と上記第 2粉末中のアル力リ'土類金属の酸化物と上記第- 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 26. 2重量％、 約 3 2. 0重量％および約 1 0重量％である。
    44。 特許請求の範囲第 28項に記載されている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を舍む酸 化物と上 ½第 2粉末中のアル力リ土類金属の.炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 G d 203、 分子式 B a C 03お よび分子式 YF3で表され、 上記第 4粉末は分子式 C u F2で表され る.金属フッ化物を更に含んでいる。
    45. 特許請求の範囲第 44項に記載されている超伝導体セラミッ WO 89/02880 .-23- PCT/JP88/00956 クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の分子式 Y F3で表される金属フッ化物と分子式 C u F2で表され る金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 6. 1重量％、 約 48. 5重量％、 約 5重量％および約 5重量％である。
    46. 特許請求の範囲第 28項に記載されている超伝導体セラミ ツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を舍む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Τπΐ2 θ3、 分子式 B a 0およ び分子式 Y F3で表される。
    47. 特許請求の範囲第 46項に記載されている超伝導体セラミ ッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を舍む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 2. 8重量％、 約 43* Q重量％および約 1 0重量％である。
    48. 特許請求の範屈第 28項に記载ざれている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアルカリ土類金属の炭酸塩と上記.第 4粉末 ' 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 N d 203、 分子式 B a C 03お ..よび分子式 δ. a F 2で表される。
    49. 特許請求の:範囲第 48項に記載されている超伝導体ゼ ミッ ケの焼結体の性造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 2 1. 3重量％、 約 38. 6重量％および約 1 0重量％である。
    50. 特許請求の範囲第 28項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 i匕物と上記第 2粉末中のァルカリ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 L u 203. 分子式 B a. C 03お よび分子式 B a F 2で表され、 上記第 4粉末は分子式 C u F 2で表さ れる金属フッ化物を更に含んでいる。
    5 1 . 特許請求の範囲第 5 0項 ·に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の分子式 B a F 2で表される金属フッ化物と分子式 C u F 2で表さ れる金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 2 3 . 8重量％、 約 4 1 . 6重量％、 約 5重量％および約 5重量％である。
    .
    5 2 . 特許請求の範囲第 2 8項に記載されている超伝導体セラミツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を含む發 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 S m 2 0 3、 分子式 B a 0およ び分子式 C u F 2で表ざれる。
    5 3 . 特許請求の範囲第 5 2項に記载ざ ている超伝導体セラミツ ケの焼結体の製造方法におい.て、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末.中のアルカリ土類金属の駿化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 2 3 . 7重量％、 約 4 1 . 7重量％ぉよび約 1 0重量％である。 '
    5 4. 特許請求の範囲第. 2 8項に記載されている超伝導体セラミ、、)
    . クの焼結 '体の製造方法において、 上. is第 1粉末中の希土類を含む酸' . 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の酸化物と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 Y 2 03、 分子式 B a 0および " 分子式 B a F 2で袠され、 上記第 2粉末は分子式 S r Oで表されるァ ルカリ土類金属の酸化物を更に含んでいる。
    5 5 . 特許請求の範囲第 5 4項に記载されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1粉末中の希土類を舍む酸 化物と上記第 2粉末中の分子式 B a Oで表されるアルカリ土類金属 の酸化物と分子式 S r 0で表されるアルカリ土類金属の酸化物と上 記第 4粉末中の金属フッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 5 . 8重量％、 約 30. 6重量％、 約 2. 9重量％および約 1 0重量％ である。
    56. 特許請求の範囲第 28項に記載されている超伝導体セラミ ツ クの焼結体の製造方法において、 上記第 1.粉末中の希土類を含む酸， 化物と上記第 2粉末中のアル力リ土類金属の炭酸塩と上記第 4粉末 中の金属フッ化物とはそれぞれ分子式 L u 203. 分子式 B a C 03お よび分子式 B a F 2で表され、 上記第 2粉末は分子式 C a 0で表され るアル力リ土類金属の酸化物を更に含み、 上記第 4粉末は分子式 Y F 3で表される金属フッ化物を更に含んでいる。
    57. 特許請求の範囲第 56項に記載されている超伝導体セラミッ クの焼結体の製造方法にお! て、 上記第 1粉末中の希土類を含む酸 化物と上記第 2粉末中の分子式 B a C 03で表されるアルカリ土類金 属の炭酸塩と分子式 C a 0で表されるアルカリ土類金属の酸化物と 上記第 4粉末中の分子式 B a F 2で表ざれる金属フッ化物と分子式 Y F 3で表される金属ブッ化物とは上記混合粉末中でそれぞれ約 1 8. 1重量％、 約 2 1. 7M量％、 約 0. 7重量％ 約 5重量％ぉよび 約 5重量％である。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    EP0568640B1|1994-09-07|Beneficiated lanthanum chromite for low temperature firing
    US6900150B2|2005-05-31|Ceramic composition and method
    KR100312270B1|2001-11-03|저하된 소결온도에서 은과 함께 공연소할 수 있는 저손실율의 ｐｚｔ 세라믹 조성물 및 그의 제조 방법
    DE3210987C2|1989-02-02|
    EP0362492B1|1993-08-25|Verfahren zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters sowie daraus bestehende Formkörper
    EP0534378B1|1996-03-27|Non-reducible dielectric ceramic composition
    US3875277A|1975-04-01|Method for making polycrystalline alumina arc tubes
    EP0075857B1|1986-11-20|Sintered bodies of aluminum nitride
    KR100479532B1|2005-03-31|산화세륨계 고체 전해질
    US4320204A|1982-03-16|Sintered high density boron carbide
    DE3337630C2|1987-09-03|
    EP0237072A2|1987-09-16|Praktisch porenfreie Formkörper aus polykristallinem Aluminiumnitrid und Verfahren zu ihrer Herstellung ohne Mitverwendung von Sinterhilfsmitteln
    US4613455A|1986-09-23|Ceramic heater and a method for its production
    Haldar et al.1992|Processing high critical current density Bi-2223 wires and tapes
    US6620768B2|2003-09-16|Production and processing of |SCCO superconductors
    JP3737774B2|2006-01-25|誘電体セラミック組成物
    EP0207465B1|1992-04-15|Aluminum nitride sintered body and preparation thereof
    JP4360110B2|2009-11-11|ランタンガレート系焼結体およびそれを固体電解質として用いた固体電解質型燃料電池
    EP0400090B1|1993-01-13|High strength silicon nitride
    EP0079678B1|1985-09-04|Method for sintering silicon nitride
    EP0836752B1|2003-03-05|Elongated bscco superconducting articles and methods for the manufacture thereof
    EP0137565B1|1988-05-25|Multilayer ceramic capacitor
    EP0244940A2|1987-11-11|Ceramic, cermet, or metal powder materials with a polymeric binder, and process for producing formed shapes of ceramic, cermets, or metal powders
    KR970007765B1|1997-05-16|초전도 산화물 와이어 및 그 제조 방법
    US5723395A|1998-03-03|Dielectric ceramic composition, its preparation method, multilayer chip capacitor, dielectric filter, and electronic parts
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0354963A1|1990-02-21|
    EP0354963A4|1991-05-08|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1989-04-06| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KR US |
    1989-04-06| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
    1989-05-12| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1988908347 Country of ref document: EP |
    1990-02-21| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1988908347 Country of ref document: EP |
    1993-09-06| WWW| Wipo information: withdrawn in national office|Ref document number: 1988908347 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP62/239706||1987-09-24||
    JP62239706A|JPS6483557A|1987-09-24|1987-09-24|Production of sintered superconducting ceramic having high strength|
    JP63019053A|JPH01197351A|1988-01-29|1988-01-29|Production of superconducting ceramic sintered body having high critical temperature and high toughness|
    JP63/19053||1988-01-29||KR8970906A| KR910009891B1|1987-09-24|1988-09-21|초전도체 세라믹 소결체의 제조방법|
    [返回顶部]